Инженеры-физики из США, Великобритании и Китая создали самое маленькое устройство хранения данных с производительностью в сто раз больше современных устройств флэш-памяти.
Миниатюрное устройство имеет площадь всего в один квадратный нанометр и относится к категории мемристоров — микроэлектронных элементов, способных изменять свое сопротивление в зависимости от протекшего через них заряда. Оно при этом не нуждается в третьем выводе в центре - затворе.
Эта версия мемристора позволяет достичь емкости около 25 терабит на 1 кв. см, что на два порядка выше плотности памяти, обеспечиваемой самыми мощными устройствами современных флэш-карт.
Таким образом, девайсы на его основе при меньшем размере будут иметь большую емкость.
В качестве основного наноматериала создатели использовали атомный слой дисульфида молибдена.
Результаты исследования, опубликованные в журнале Nature Nanotechnology, по мнению ученых, открывают возможности для разработки приложений будущего поколения.
Это, в том числе, нейроморфные вычислительные системы и системы радиочастотной связи.
