Правительство Японии намерено выделить порядка 350 млрд иен (около 2,38 млрд долларов) на создание совместного с США научно-исследовательского центра для разработки 2-нанометровых полупроводников следующего поколения, пишет газета Nikkei.
Известно, что договоренность о создании совместного центра была достигнута в конце июля этого года. Научно-исследовательский центр стороны планируют построить уже к концу года.
По данным издания, в проекте примут участие Токийский университет, японский Национальный институт передовых промышленных наук и технологий, Институт естественных наук «Рикэн», а также ряд компаний, перечень которых будет озвучен позже. Одним из кандидатов может стать американская IBM.
Токио планирует выделить 450 млрд иен (около 3,07 долларов) в качестве субсидий компаниям, создающим производства полупроводников. Еще 370 млрд иен (около 2,52 млрд долларов) будет направлено на укрепление цепочек поставок материалов, необходимых для производства чипов, в частности, кремниевых полупроводниковых пластин и карбида кремния.
Ранее сообщалось о планах российских ученых сформировать перечень из 92 видов научных приборов, которые необходимо начать производить в стране в ближайшие годы.
Губернатор Севастополя предложил создать базу по разработке морских дронов 
Байден предложил прекратить разработку ядерной ракеты SLCM-N 
Глава Роспатента: СВО даст стимул к развитию отечественных технологий 
Пентагон заключил контракт на разработку гиперзвуковых крылатых ракет 
