Ученые ННГУ в составе исследовательской группы обнаружили ранее не выявленное последствие повышения концентрации носителей заряда в полупроводниках при изучении оксида галлия. Результаты научной работы представлены в Applied Physics Letters.
Исследователи ННГУ совместно с коллегами из Института физики микроструктур РАН обнаружили, что при температурной обработке кристалла β-Ga2O3 с добавленными атомами кремния методом ионной имплантации происходит значительное повышение количества электронов, превосходящее число атомов кремния.
Младший научный сотрудник Научно-исследовательского физико-технического института ННГУ Алена Никольская утверждает, что атомы примесей используются для регулирования электрических характеристик полупроводников. В традиционных методах примеси обычно вводятся посредством ионной имплантации (облучение с последующим отжигом).
«Мы предполагаем, что во время отжига в кристалле образуются дефектные центры (группы атомов), которые дают "лишние" электроны», - заявила Никольская.
Команда ученых не только достигла концентрации электронов, достаточной для создания электрических устройств, но и превзошла ее за счет специфических процессов имплантации. Ранее такого эффекта нигде в мире не наблюдалось.
Авторы исследования предполагают, что полученное базовое понимание заложит основу для разработки нового набора устройств для силовой электроники, фотодетекторов глубокого ультрафиолета и других целей.
Ранее сообщалось, что правительство России выделило практически 1,3 триллиона рублей на развитие гражданской науки.
Примерное время чтения: 1 минута
1268
Российские ученые впервые выявили новый эффект в полупроводниках
Павел Львов / РИА Новости
Москва, 8 декабря - АиФ-Москва.
